三星、西数3D堆叠USF闪存爆发!手机大存储时代来临!

博奥电脑2020-09-15 16:41:24

三星宣布,正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存,产品将用于下一代智能手机。该闪存使用的是三星的64层V-NAND芯片,单晶粒大小512Gb(64GB),8片和主控封装在一起。此前,三星提供的是48层V-NAND,最高256GB UFS的方案。

对于512GB的大容量,三星举例说,可以存储130部4K分辨率(3840×2160)的10分钟视频片段,而64GB仅能存储13部。性能方面,标称连续读取860MB/s、写入255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000 IOPS,可以在6秒向SSD传完一部5GB的高清电影。

最后,三星表示,将加大64层512Gb和256Gb闪存的产能,并在未来用于SSD产品。

同时Western Digital(西部数据)也推出了新一代iNAND嵌入式闪存芯片产品,分别支持UFS和eMMC两种标准类型,但均基于SanDisk的64层3D堆叠技术。

其中,iNAND 8521支持UFS2.1,第五代智能SLC技术(小容量SLC做缓存),号称连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s),随机读取更是快了10倍,号称专为5G网络时代而生

而iNAND 7550支持eMMC5.1标准,性价比更高,连续写入速度260MB/s,随机读取20K、写入15K。西数表示,iNAND 8521和iNAND 7550已经开始交付OEM厂商试样,容量是256GB。当然对于手机厂商和消费者来说,则意味着供货更稳定并会加速普及。

到明年底,全球所有手机的ROM平均容量将超越60GB,容量越高也意味着闪存也即将降价,这对消费者来说将是最好的消息。


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