受三星推广新制程产品影响,eMMC/eMCP价格有所下调
2016年Flash原厂将切入1znm（12nm-15nm）投产，并加快向3D NAND技术导入，更具成本优势的NAND Flash是导致闪存产品价格下滑的主要因素。近期受三星推广新制程产品影响，大幅度降低eMMC 16GB和32GB价格以及下调eMCP价格，导致本周价格有所下调。
中国闪存市场网ChinaFlashMarket认为，三星在2015年提高16nm TLC量产规模，并在下半年转进14nm量产，预计2016年14nm工艺将成为三星NAND Flash量产的主流技术，相比16nm将更有成本竞争力，这是导致eMMC/eMCP价格下滑的主要因素。
另一方面，三星最新48层3D V-NAND技术可将NAND Flash Die容量提升至256Gb，逐渐凸显其成本优势，再加上三星引导市场需求向UFS 2.0转移，而市场旗舰智能型手机需求也在向128GB提升，或进一步影响32GB以下eMMC/eMCP价格下滑。
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